Samsung представила рекордно ёмкую память HBM3E 12H объёмом 36 ГБ на стек с пропускной способностью 1,28 ТБ/с
Производство стартует в ближайшие месяцы Компания Samsung объявила о том, что разрабатывает первую в отрасли микросхему памяти HBM3E 12H объёмом 36 ГБ. Так как это память HBM, корректнее говорить, что это не микросхема, а стек. В данном случае состоящий из 12 слоёв, что в итоге даёт самую большую в отрасли ёмкость среди памяти HBM.