Вероятно, его пропускная способность не ниже 1,7 ТБ/с
Компания Samsung изготовила первый образец 16-слойного стека памяти HBM.
Образец работал нормально, но пока что компания не собирается запускать такие чипы в массовое производство. Судя по всему, массовыми такие стеки станут уже с выходом HBM4, а до этого ещё минимум два года.
Возможность создания такого большого стека появилась благодаря технологии гибридного соединения, которое Samsung смогла задействовать для всех слоёв. Гибридное соединение может быть более выгодным, поскольку оно позволяет добавлять больше слоёв без необходимости использования сквозных кремниевых переходов.
Напомним, месяц назад Samsung представила рекордно ёмкую память HBM3E 12H объёмом 36 ГБ на стек с пропускной способностью 1,28 ТБ/с. В этом случае стек состоит из 12 слоёв, но это первый такой продукт, тогда как обычно сейчас стек HBM состоит из восьми слоёв.
Особенность памяти HBM в том, что чем больше слоёв содержит стек, тем выше и ёмкость, и пропускная способность. То есть, если бы 16 слоёв было у памяти HBM3E текущего поколения, то пропускная способность достигла бы 1,7 ТБ/с, а в случае HBM4 она будет ещё выше.
